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高磁化氧化尖晶石铁氧体薄膜


14th材料科学与工程国际会议与展览“,

2017年11月13-15日|美国拉斯维加斯

小君叮

新加坡国立大学,新加坡

ScientificTracks抽象:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 011

摘要

四方半金属磁体由于磁化强度和磁各向异性的优化,在自旋电子学中得到了广泛的应用。本文采用低温热分解方法制备了稳定的四方铁氧体薄膜。四方共掺杂fe3o4基薄膜具有~1特斯拉的高饱和磁化,四方共掺杂fe3o4基薄膜具有~10.9 MGOe的高能量产物,且磁晶各向异性垂直。实验和第一性原理相结合的研究表明,碳间隙(CiB)和氧空位(VO)形成CiB-VO对,稳定了四方相,同时增强了磁化强度。高磁化强度主要是由于cib - vo引起的原子迁移和晶格畸变导致FeA发生自旋翻转。具有高可调磁化强度和磁各向异性的稳定四方铁氧体薄膜在很大程度上扩展了半金属尖晶石铁氧体和新型能量收集器件的应用。

传记

丁俊博士,新加坡国立大学材料科学与工程系教授。他从事功能材料(特别是磁性材料)研究超过25年。他目前的研究重点是增材制造(3D打印),重点是先进功能和多功能设备。

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