研究与评论:材料科学杂雷竞技苹果下载志
菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
Y. Chaib, S. Benmokhtar, M. Moutaabbid, P.E. Hoggan和C. Robert-Goumet
卡萨布兰卡大学，摩洛哥布莱兹帕斯卡大学，法国
海报和接受的摘要:Res. Rev. J Mat. science
DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 015
砷化镓(GaAs)是一种具有直接带隙的III-V型化合物半导体纳米线，由于其在光电微电子器件如光伏电池、光电探测器、调制器、滤波器、集成电路和发光二极管等领域的潜在应用而引起了研究人员的广泛关注，无论是在实验上还是在理论上都得到了广泛的研究，对这种新型材料的物理性质仍需要有一个基本的了解。在纳米线的制造过程中，其表面出现异常，这些异常与无ga断裂键结合，容易与环境相互作用，并通过氧化来解决这一问题。我们用氮钝化这些表面，使其表面饱和。在已有文献的激励下，我们采用DFT中设计的全势线性化增强平面波法(FP-LPAW)，对GaAs在稳定锌共混相中的结构和电子性质进行了计算。之后，我们会用氮钝化这些纳米线;我们研究了营养物质对其物理性能(GaAs / GaN)的影响，通过保持先前在GaAs平面表面进行的类似研究中使用的相同理论模型，表明氮化现象导致了一层薄GaN的沉积，并使固体钝化。(电子邮件保护)
