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衬底温度和氢气体流量的影响在MZO和IGZO薄膜的特性


13th先进材料与纳米技术国际会议

2017年10月26 - 28日期间,日本大阪

霁胡恩,Yong-Ho Lee Ji-soo李和Kyu-Mann李

韩国科技大学和教育,韩国

海报和接受抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 009

文摘

透明导电氧化物(tco)薄膜电极用于在显示等照明设备,太阳能电池等等。tco必须表现出低电抗性和良好的光透射率在同一时间。ITO(氧化铟锡,Sn-doped研究)的TCO材料上面的两个属性和最具有商业用作TCO。然而,伊藤有一些问题。铟的主要成分ITO的成本昂贵,供应不稳定。不仅沉积温度应高于少250 oc沉积后还需要热处理。这些高温过程是可怜的薄膜粗糙度的主要因素和不良影响到设备的稳定性。因为这些问题,我们感兴趣的TCO材料来替代ITO。基于TCO的材料中,氧化锌TCO材料的化学稳定性,可以沉积在室温和低电阻和高透光率。在这项研究中,我们使用了两个目标,MZO (Mo 2 wt %)和IGZO(在1摩尔%,Ga 1摩尔%)射频磁控溅射。观察特征取决于大气气体和衬底温度,我们周围气体流动(Ar + H2)从0 sccm 4 sccm从RT和改变了衬底温度300摄氏度。 To observe microstructures of thin films, we used XRD and SEM and to indicate the electrical properties of thin films, we used Hall measurement system.

传记

霁胡恩宋目前追求硕士学位从韩国科技大学和教育,韩国。

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