聚合物衬底放气对高性能导电氧化薄膜的影响

13^th先进材料与纳米技术国际会议

2017年10月26-28日，日本大阪

姜泰云、金成贤、金mac、李在香、李相珍

韩国化学技术研究所，大韩民国

海报及接受摘要:参考文献J

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 009

摘要

近年来，Roll-to-Roll (R2R)溅射技术以其高柔韧性、低成本的特点，在柔性光电子器件的聚合物衬底上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜受到了广泛的关注。我们发现聚合物基板表面和硬涂层内都含有污染气体和水分(H2O)，并且所含气体对ITO薄膜的特性产生不利影响。在这项研究中，我们报告了在硬涂层聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上采用中试规模R2R溅射沉积ITO薄膜的出气过程的重要性。采用除气工艺，提高了PET薄膜上ITO薄膜的光学和电学性能。放气后的ITO薄膜电阻低至~ 100欧姆/平方米。且透光率高，可达~ 90%。

传记

Tae-Woon Kang于2016年完成了韩国全北国立大学柔性和可印刷电子专业研究生院的硕士课程。他目前就职于韩国化学技术研究所。

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