所有提交的EM系统将被重定向到网上投稿系统.作者被要求将文章直接提交给网上投稿系统各自的日志。

添加对等配位InxSb20-xAg10Se70 (0â ¤xâ ¤20)硫系膜结构、光学、电导率和光导率的影响


10th新兴材料与纳米技术国际会议

2017年7月27日至29日,加拿大温哥华

Rita Sharma, Shaveta Sharma, Praveen Kumar, R Thangaraj和M Mian

印度纳纳克Dev大学
印度DAV大学

海报和接受的摘要:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 003

摘要

硫族系的许多物理性质很大程度上取决于所添加杂质的组成和类型。本文研究了热蒸发InxSb20-xAg10Se70(0≤x≤20)硫系膜的结构和光学性质。大块多晶颗粒用于薄膜的沉积。XRD研究揭示了制备薄膜的非晶态特征。FESEM图像显示形态结构随成分的变化呈不规则趋势。能谱分析表明,所制备薄膜的组成与样品的化学计量一致。拉曼光谱显示AgSbSe2结构单元中存在Sb-Se和Sb-Sb键振动,AgInSe2结构单元中存在in - se键振动。通过光学透过率和反射率的测量计算了吸收系数,发现间接光学带隙随铟含量的增加而增加。利用薄膜形态的变化和分子单位浓度的变化,讨论了随着铟含量的增加,薄膜的光学性质。通过对InxSb20-xAg10Se70(0≤x≤20)薄膜的直流电导率、光电导率强度依赖性和IV特性的测量,研究了InxSb20-xAg10Se70(0≤x≤20)薄膜中载流子的输运机制和载流子类型等有价值的信息。

全球科技峰会