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共溅射沉积功率对掺铁ZnO薄膜结构和性能的影响


3.理查德·道金斯磁学与磁性材料国际会议

2018年10月22日至23日|意大利罗马

Ahmed Faramawy C Scian和G Mattei

意大利帕多瓦大学

海报和接受的摘要:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c6 - 030

摘要

采用磁控共溅射技术(直流对Fe,射频对ZnO)在二氧化硅和硅衬底上沉积了Fe掺杂ZnO (FeZO)薄膜。为了更好地将Fe掺杂控制在1%的原子范围内,我们没有降低直流功率(这会产生直流源的不稳定性),而是通过不同网格尺寸的栅格进行直流溅射来阻挡部分Fe原子。研究了150 nm厚FeZO薄膜的结构、光学和磁性能。通过GIXRD分析,所有样品均为单相六方纤锌矿结构。采用RBS和EDX测定了掺杂Fe的ZnO薄膜的元素组成和化学计量。通过紫外-可见光谱分析,得到了FeZO带隙从3.21 eV(纯ZnO)到3.33 eV(含5% Fe的ZnO)的变化。此外,利用振动样品磁强计(VSM)研究了FeZO薄膜的室温M-H磁滞回线。纯ZnO薄膜具有铁磁性,可能是由于表面缺陷如氧空位,而FeZO薄膜具有顺磁性。这些不同的性质使FeZO在薄膜中形成了一个很有前途的候选材料,在光催化和磁光器件中有广泛的应用,我们计划在未来的工作中进行研究。

传记

Ahmed Faramawy是帕多瓦大学物理和天文系纳米结构组的博士生(via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy)。

电子邮件:(电子邮件保护)

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