伽玛纳稀释磁性半导体在居里温度附近的临界行为

3.^{理查德·道金斯}磁学与磁性材料国际会议

2018年10月22日至23日|意大利罗马

Shavkat U Yuldashev

东国大学，韩国

ScientificTracks抽象:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c6 - 029

摘要

在过去的几十年里，人们对GaMnAs进行了大量的研究，并已成为稀释铁磁半导体的模型系统。目前公认的是，具有金属导电性的GaMnAs的居里温度与电阻率dρ/dT的温度导数的最大值相吻合，类似于Ni和Fe等铁磁性金属，而对于低浓度的自由载流子样品，居里温度与电阻率的最大值相吻合。实验研究了伽玛纳在居里温度附近的临界行为，利用了其电阻率、比热和磁化强度的温度依赖性。结果表明，由电阻率温度导数的最大值来测定TC仅适用于含高浓度自由载流子的样品。对于含低浓度自由载流子的样品，TC值与电阻率最大值一致。当温度接近居里温度时，t> TC的磁比热表现出从一维到三维临界行为的交叉。这是由Mn-Mn二聚体的存在来解释的，在相变的顺磁一侧，在铁磁相形成的开始，沿一个方向定向。最新出版物李世杰，王志强，王志强，王志强，等。(2018)ZnMnO掺杂稀释磁性半导体的带隙工程:磁性与磁性材料学报，446:206-209。2. Sh U Yuldashev, Z A Yunusov, Y H Kwon, S H Lee, R Ahuja, et al. (2017) Critical behavior of the resistivity of GaMnAs near the Curie temperature: Solid State Communications 263:38-41. 3. Sh U Yuldashev, V Sh Yalishev, Z A Yunusov, Y H Kwon and T W Kang (2016) Magnetic phase transitions in ZnO doped by transition metals: Physica Status Solidi C 13: 559–563. 4. Sh U Yuldashev, V Sh Yalishev, Z A Yunusov, S J Lee, H C Jeon, et al. (2015) Magnetoelectric effect in GaMnAs /P(VDFTrFE) composite multiferroic nanostructures: Current Applied Physics 15:S22–S25. 5. Sh U Yuldashev, Kh T Igamberdiev, Y H Kwon, S H Lee, X Liu, et al. (2012) Crossover critical behavior of Cd1-xMnxAs: Phys. Rev. B 85: 125202:1–5.

传记

Shavkat U Yuldashev于1983年在圣彼得堡A.F. Ioffe研究所完成博士学位。他是韩国首尔东国大学物理系教授。在知名期刊上发表论文175余篇。他的专长是稀释磁性半导体和自旋电子学。

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