研究和评论:材料科学杂雷竞技苹果下载志》上
菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
Yoshinobu Aoyagi Kurose N,松本K, T和Kamiya我岩田聪
日本立命馆大学,丰田技术研究所、日本
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DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c3 - 020
问题的声明:n型铝氮化镓(n-AlGaN)垂直场效应晶体管(FET)承诺未来超级高功率场效应晶体管电子设备除了Si,碳化硅和氮化镓设备。实现n-AlGaN垂直场效应晶体管与载体阻挡层集中当前流入垂直通道区域,当地的p型沃甘形成是必不可少的。意识到这个地方p型层,到目前为止,水晶再生技术与光刻进行但是这个过程是复杂的,降低了晶体质量。之前当地运营商类型转换n型和p型没有任何水晶再生方法,承运人阻挡层很容易产生晶体没有任何损失。方法:我们使用了一个准分子激光(193海里)作为照射源材料工程。样品的辐照系统扫描系统来控制辐照区域和一个原位监测系统观察材料表面在激光辐照。使用霍尔效应材料特征观察,开尔文探针和光学显微镜测量。发现:我们发现绝缘或n型增长近化学氮化镓(Mg: GaN)转换为p型氮化镓(p-GaN)在一个合适的激光辐照条件下只有在激光辐照的特定区域。从Mg的横向分辨率:GaN约μm p型。辐照下表面没有损伤。 Conclusion & Significance: A new technique has been established. This has achieved local activation of Mg: GaN to p-type GaN using the laser irradiation co-operated with in-situ observations of the surface during the laser processing. Using this method, local activation of carriers with the lateral resolution of about 1 μm is possible, thus establishing the potential for fabricating local p-GaN carrier blocking layer and vertical high power devices without using any other fabrication techniques such as crystal regrowth. Recent Publications 1. Tanaka S, Iwai S and Aoyagi Y (1996) Self-assembling GaN quantum dots on AlxGa1-xN surfaces using a surfactant. Applied Physics Letters 69:4096-4098. 2. Tanaka S, Takeuchi M and Aoyagi Y (2000) Anti-surfactant in III-nitride epitaxy - Quantum dot formation and dislocation termination. Applied Physics Letters 39: L831-L834. 3. Aoki K, Miyazaki H T, Hirayama H, Inoshita K, Baba T, Sakoda K, Shinya N and Aoyagi Y (2003) Micro assembly of semiconductor three-dimensional photonic crystals. Nature Materials 2(2):117-121. 4. Matsuda K, Saiki T, Nomura S, Mihara M, Aoyagi Y, Nair S and Takagahara T (2003) Near-field optical mapping of exciton wave functions in a GaAs quantum dot. Physical Review Letters 91:177401-1-177401-4. 5. Aoyagi Y and Kurose N (2013) A 2-inch, large-size deep ultraviolet light-emitting device using dynamically controlled micro-plasma-excited AlGaN. Applied Physics Letters 102:041114.
Yoshinobu Aoyagi已经在纳米技术和创建他的专长为开发新设备先进材料。他最近的工作是发现anti-surfactant现象产生自发GaN量子点即使在晶格匹配的衬底,例如氮化镓量子点在氮化镓衬底在常见的晶体生长条件下这是不可能的。他还成功地开发新技术来制作3 d光子晶体,DUV领导,大规模DUV超过2英寸大小的光发射器。激光加工是另一个主要工作。他还成功的先锋作用于激光诱导原子层沉积和原子层蚀刻在开始阶段的研究。他在科学期刊上发表了500多篇文章,提出了很多邀请谈判。
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