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三元稀土六硼化体LaxNd8-xB6 (x=0,1,7,8)材料的力学和电子性能

摘要

我们用密度泛函理论研究了LaB6、NdB6、掺钕的LaB6和掺镧的NdB6的晶格常数和电子性质。计算了LaB6、La7Nd1B6、La1Nd7B6和NdB6的晶格常数、八面体内键、八面体间硼键和位置参数(z)。结果表明，掺钕提高了La1Nd7B6的晶格常数。同样，la掺杂导致La1Nd7B6晶格常数的增加。计算LaB6、LaB6的B、La1Nd7B6、La1Nd7B6的B、La1Nd7B6、La1Nd7B6的B、NdB6的B的PDOSs。La - d电子带穿过费米能量，表现出经典导体行为。电荷密度结果表明，浅色和深色分别表现为高强度和低强度区。La1Nd7B6为低密度区域，LaB6为高密度区域。LaB6中点具有较强的电荷密度峰。La1Nd7B6也观察到弱峰。 Thus, ternary REB6 has good potential for many applications. This article reports an investigation of the electronic features and structural parameters of binary and ternary hexaborides.

伊特Bozada

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