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液氦薄膜表面态电子在微观结构几何中的迁移率

摘要

本文讨论了在类似场效应晶体管(即氦场效应晶体管)的硅片上采用合适的衬底结构在受限几何形状的液氦薄膜上表面态电子(SSE)的研究。样品具有源区和漏区，由栅极结构分开，栅极结构由2个具有窄间隙(通道)的金电极组成，通过该栅极进行电子传输。在建立了以栅极势垒为函数的新模型后，对SSE迁移率的研究变得更加容易。实验结果与文献有较好的一致性。

穆罕默德·阿沙里

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