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基于电极技术的低功耗非易失磁触发器或存储器的设计

摘要

功率已成为现代超大规模集成电路设计中亟待解决的问题。非易失性存储器，如MRAM, FeRAM, ReRAM等可以通过允许系统在待机状态下断电来节省电力。MRAM可以通过使用便携式电脑、软盘、CD等磁触发器来建立。与传统的flop相比，STTMRAM采用22nm技术可以节省功耗并保留数据。在深亚微米MOS技术中，由于泄漏电流迅速上升，高级计算系统的静态功率很高。本文利用STTMRAM的spice模型对其进行了电模拟，验证了其功能行为，并对其性能进行了评价。在这个NVM(非易失性存储器)中经历了一些机制，如检查点/功率门控。有许多方法被提出来控制漏电功耗。lecector是在不影响动态功率的情况下减少泄漏的技术之一。与之前的方法相比，所提出的设计方法需要更少的设计工作量，并提供更大的功耗降低和更小的面积成本。在降低泄漏功率时，与所有其他现有的减少泄漏技术相比。 Using this LECTOR technique, power efficiency becomes better. This paper presents the analysis for leakage current in Static RAM implementing LECTOR technique

D.shilpa, S.Senthurpriya

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