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基于全栈非对称SRAM的低泄漏功率SRAM系统的设计与实现

摘要

本文探讨了静态随机存取存储器(sram)的设计和分析，重点是优化延迟和功耗。为了解决子阈值泄漏问题，采用了全栈方法。全栈技术在很大程度上降低了漏功率。全栈技术以非对称方式应用于SRAM单元，以实现更高的功耗降低。这项工作比较了采用全堆栈方法的SRAM与传统6T-SRAM设计的性能。分析了温度和不同工艺角对全堆设计性能的影响。使用Cadence Virtuoso ADE可视化分析XL浏览器和XL计算器进行静态功率和动态功率测量。使用Cadence Assura工具绘制并验证DRC, LVS和RC提取的布局。

Rajlaxmi Belavadi, Pramod Kumar。T, Obaleppa。R. Dasar, Narmada报道。年代,拉贾尼。h P

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